聲波發(fā)生器，是種將市電轉(zhuǎn)換為換能器相應(yīng)的頻交電以驅(qū)動(dòng)換能器行作的設(shè)備，是大率聲波系統(tǒng)的重要構(gòu)成分，也可將其稱為電子箱、聲波驅(qū)動(dòng)電源、聲波控制器。

優(yōu)點(diǎn)

聲波發(fā)生器能監(jiān)控大率聲波系統(tǒng)的作頻率、率。

能夠根據(jù)用戶不同要求，實(shí)時(shí)調(diào)整各種參數(shù):如率、振幅、運(yùn)行時(shí)間等。
頻率微調(diào):調(diào)整頻率使聲波換能器始終作在狀態(tài)下，效率達(dá)到大，調(diào)整范圍2%。
自動(dòng)跟頻:設(shè)備旦成初始設(shè)置后，就可以連續(xù)作業(yè)而對(duì)發(fā)生器行調(diào)節(jié)。
振幅控制:換能器作過程中負(fù)載發(fā)生變化時(shí)，能自動(dòng)調(diào)整驅(qū)動(dòng)性，確保具頭得到穩(wěn)定的振幅。
系統(tǒng)保護(hù):系統(tǒng)在不適宜的操作環(huán)境下作時(shí)，發(fā)生器將停止作并報(bào)警顯示，保護(hù)設(shè)備不受損壞。
振幅調(diào)整:振幅可在作過程中瞬間增加或減少，振幅的設(shè)置范圍:0%~。
自動(dòng)搜頻:可以自動(dòng)測定具頭的作頻率并儲(chǔ)存。
(1)閉態(tài)飽和損耗

由(1.101)式可知.晶體管飽和壓降愈大則效率越低。理論和實(shí)驗(yàn)可以說明，隨著頻率的升和率加大，飽和壓降將迅速增大，為了減小飽和損耗，選用fT的晶體管。般來說，對(duì)小率管(<10W)，f≥0.1fT，對(duì)于大率管(>10W) f ≥0.01fT時(shí)才需考慮飽和壓降的影響。

因?yàn)檫@時(shí)飽和壓降隨頻率急劇增大，在大率時(shí)由于電的增加飽和壓降也大大上升，因此D類放大器的效率在這些頻率和電下將急劇下降。

(2)開關(guān)過程引起的過渡損耗。

過渡損耗是由過渡瞬變過程的時(shí)間來確定，它取決于晶體管電或電壓的上升和下降時(shí)間及基和集電的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。在晶體管電或電壓上升和下降時(shí)間內(nèi)，晶體管處于有源狀態(tài)，要消耗定率。此外接通延遲時(shí)間td(由晶體管基電容和其他電路電容的充電時(shí)間決定)和晶體管開關(guān)從飽和入有源狀態(tài)時(shí)，從基區(qū)和集電抽出過量電荷的存儲(chǔ)時(shí)間ts也要增大過渡損耗。延遲時(shí)間td和存儲(chǔ)時(shí)間ts，不僅延長晶體管的開關(guān)過渡過程，而且要產(chǎn)生電和電壓瞬變，會(huì)使晶體管由于二次擊穿或雪崩效應(yīng)而損壞。

如果晶體管存儲(chǔ)時(shí)間大于接通延遲時(shí)間，兩個(gè)晶體管將同時(shí)處于閉態(tài)。大的瞬間集電電將通過低阻通路從集電電源到地。不僅要降低放大器的效率，而且要使器件的可靠性降低，因?yàn)樵诘募潆妷合?，過大的集電電要使器件由于二次擊穿而損壞。這種瞬態(tài)的集電電尖峰可以用附加基射間的電容，增大器件接通延遲時(shí)間，限止兩個(gè)晶體管都處于"閉態(tài)"的時(shí)間間隔來減弱。

ib的負(fù)脈沖愈大，持續(xù)時(shí)間愈長，ts愈長，td主要取決于集電電荷的存儲(chǔ)。隨著作頻率的上升，晶體管的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)愈顯著，嚴(yán)重時(shí)可使兩管同時(shí)導(dǎo)通，出現(xiàn)危險(xiǎn)的雪崩，使晶體管損壞。集電電荷存儲(chǔ)時(shí)間是隨著集電電的增加而增大，集電電又隨基電增加而增大，基電又隨激勵(lì)信號(hào)的加大而增大。因此選擇開關(guān)性好，ft且率滿足要求的晶體管，激勵(lì)，對(duì)于提D類率放大器的效率是的。